스퍼터링 타겟이라고도 불리는 스퍼터링 박막을 제조하기 위한 원료 물질, 특히 전자 부품 제조 시 물리 기상 증착(물리화학적 특성) 공정에 사용되는 고순도 스퍼터링 타겟은 웨이퍼, 패널, 태양 전지 표면에 전자 박막을 제조하는 데 중요한 재료입니다.
진공 상태에서 가속된 이온을 사용하여 고체 표면을 폭격합니다. 이온은 고체 표면의 원자와 운동량을 교환하여 고체의 표면 원자가 고체를 떠나 기판 표면에 증착되어 원하는 박막을 형성합니다. 이 과정을 스퍼트라고 합니다. 폭격된 고체는 스퍼터링으로 박막을 증착하기 위한 소스 재료이며 일반적으로 타겟 재료라고 합니다.
스퍼터링 타겟은 주로 타겟 블랭크와 백킹 플레이트로 구성됩니다. 이 중 타겟 블랭크는 고이온 빔의 타겟이 되는 소재이며 스퍼터링 타겟의 핵심 부분입니다. 스퍼터링 공정 중에 타겟 블랭크는 이온에 의해 폭격을 받아 원자가 분산되고 기판에 증착되어 전자 필름을 형성합니다. 고순도 금속은 강도가 낮고 스퍼터링 타겟은 스퍼터링 공정을 완료하기 위해 전용 장비를 설치해야 하므로 장비의 내부 환경은 고전압, 고진공입니다. 따라서 초고순도 금속 스퍼터링은 타겟을 안전하게 고정할 수 있도록 다양한 용접 기술(업계에서는 일반적으로 본딩 기술이라고 함)을 통해 백킹 플레이트와 결합해야 합니다. 또한 백킹 플레이트는 전기 및 열 전도성이 좋아야 합니다.